国度学问产权局信息深入，北京朔方华创微电子装备有限公司恳求一项名为“上电极结构及半导体工艺开辟”的专利，公开号CN121662694A，恳求日历为2024年9月。 可提现游戏平台 专利摘抄深入，本发明提供一种上电极结构及半导体工艺开辟，上电极结构用于半导体工艺腔室，包括射频线圈和导电感应环，射频线圈用于在加载有射频时产生第一交变磁场，导电感应环在射频线圈的轴朝上与射频线圈相对竖立，且导电感应环与射频线圈之间绝缘，且射频线圈和导电感应环中的一个在另一个的径向平面上的正投影心仪：射频线圈和导电感应

国度常识产权局信息显现，北京朔方华创微电子装备有限公司苦求一项名为“上电极结构及半导体工艺开荒”的专利，公开号CN121662694A，苦求日历为2024年9月。 专利摘记显现，本发明提供一种上电极结构及半导体工艺开荒，上电极结构用于半导体工艺腔室，包括射频线圈和导电感应环，射频线圈用于在加载有射频时产生第一交变磁场，导电感应环在射频线圈的轴朝上与射频线圈相对诞生，且导电感应环与射频线圈之间绝缘，且射频线圈和导电感应环中的一个在另一个的径向平面上的正投影知足：射频线圈和导电感应环中的一个的至少

00 更多热门速报、巨擘资讯、深度分析尽在北京日报App {jz:field.toptypename/}