客服QQ：88888888{jz:field.toptypename/} 证券日报网讯 3月10日，中瓷电子在互动平台恢复投资者发问时示意，1000V平台条款功率器件耐压≥1500V（留足电压尖峰冗余）。SiC击穿场强是硅的10倍、禁带宽度3倍，可告成撑握1000V母线，幸免硅基IGBT复杂多级拓扑与击穿风险。全域1000V平台必须招揽SiC功率器件（MOSFET/模块），硅基有盘算无法餍足耐压、成果、功率密度条款。子公司国联万众已有有关碳化硅MOSFET芯片适用于新动力汽车1000V高压平台

登录新浪财经APP 搜索【信披】稽查更多考评品级 客服QQ：88888888 证券日报网讯 3月4日，中瓷电子在互动平台回复投资者发问时暗示，公司董事会及贬责层对公司中遥远发展远景充满信心，公司将握续聚焦电子陶瓷、第三代半导体中枢业务领域，强化本事研发与商场拓展，以塌实谋略功绩，培育中枢价值。同期，公司喜欢市值贬责与推进酬金，将和谐商场环境、谋略情况及监管规章空洞研判、审慎方案包括增握在内的各类市值珍视轮番，如有相干谋略，公司将严格按依法程实施信息表示义务，请讲理公司指定信息表示平台公司公告。